SF6/O2ガスを用いた高速SiエッチングプロセスにおけるFラジカル、Oラジカルの挙動の解明
目的
SF6/O2ガスを用いた高速SiエッチングプロセスにおけるFラジカル、Oラジカルの挙動の解明
背景
三次元LSI(large scale integration)や微小電気機械システム（Micro Electro Mechanical System : MEMS）などの応用に向けて、Siの高速エッチングが発展してきています。より高精度で高速なエッチングを実現するためには、エッチングプロセス中にお ける粒子の挙動を理解することで、最適なエッチング条件を見つける必要があります。プラズマ中にはエッチングに関与する粒子として、イオン、ラジカルなど が存在しますが、中でもラジカルは、ボーイングなどのエッチング形状異常の原因に大きく寄与すると考えられています。そこで、SF6/O2プラズマを用いたSiエッチングにおけるFラジカル、Oラジカルの挙動について調査しています。
アプローチ
プラズマ中の粒子の中でラジカルのみの影響を調べるために、電極と基板との間に金属メッシュを挿入することでイオンを取り除きます。このようにして ラジカルのみの影響をSiに与え、Siの表面構成元素組成の変化、結合状態の変化、また、気相中のラジカルの密度計測などにより、反応モデルの構築、及び Siエッチングの最適化を目指します。
図1 : 装置図